NAND Flash回温速度优于预期 预估本季产品平均单价涨幅为5~10%
三星、SK海力士及美光三大原厂扩大减产,NAND Flash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象,其中,NAND Flash回温速度优于预期,第四季价差持续收敛,预估本季产品平均单价涨幅为5~10%,有机会出现货价与合约价黄金交叉。
记忆体族群受惠产业市况反转,今年以来股价走势强劲,十铨股价今年以来涨幅翻倍,威刚股价涨幅逾八成,群联股价亦有逾五成的涨幅。
业界人士分析,由于三大原厂的库存离正常化仍有一段距离,拥有最大市占率的龙头厂三星,决定进一步削减产能利用率至50%,欲使库存尽早正常化,现阶段加大减产,预期效果将于2024年上半年反映。
记忆体市场约有90%为合约价市场,而现货价为可视为涨跌趋势的先行指标,以NAND Flash Wafer而言,1Tb TLC现货价自低点反弹27%,主流的512Mb TLC现货价也有25.7%增幅,而256Mb TLC现货价回升16%。
由市场供需来看,供不应求将加速消耗先前库存,涨价趋势将持续到2024年,业界人士预估,NAND Flash第四季价差持续收敛,并有机会出现货价与合约价黄金交叉,预估第四季产品平均单价涨幅为5~10%。
就DRAM来看,DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨,第四季合约价也看涨,三星已由第一季的减产20%,第三季减产25%,到近期宣布第四季将减产拉高至30%,策略明显奏效。
且得益于报价拉抬,自7月以来的现货价各品项,小幅反弹5~8%,DRAM现货价已于9月初落底,并呈现反弹趋势,其中,以最先反弹的DDR3,涨幅最大。
大厂的DDR3产能较少,率先缩减后,并将产能转往更高阶产品,因此,DDR3开始市场供不应求,也显见下游端库存已逐步去化,产生需求。
而目前市场主流的库存DDR4 8G,由微幅下滑,转为开始上扬,DRAM谷底周期接近尾声,并且近期已有原厂宣布调升合约价,第四季整体DRAM产品平均单价,将有0~5%涨幅。
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