三星目标到2027年开发下一代5纳米加工汽车存储芯片eMRAM

　　三星电子周四表示，其目标是到2027年开发下一代5纳米加工汽车存储芯片eMRAM。

　　在公布其先进存储芯片的技术路线图时，这家韩国科技巨头还表示，它将大幅改进功率芯片的处理节点，为电动汽车和自动驾驶汽车时代做好准备。

　　三星在德国慕尼黑举办2023年三星代工论坛（SSF）和三星先进代工生态系统（SAFE）论坛，表示将汽车芯片作为关键的增长动力。

　　2019年，韩国芯片制造商的合同芯片制造部门三星代工成为业界第一家在28纳米工艺节点上批量生产eMRAM芯片的公司。

　　eMRAM是嵌入式磁性随机存取存储器的缩写，是用于汽车应用的下一代核心存储器半导体，由于其快速的读写速度，即使在高温下也能稳定运行。

　　三星目前正在开发一种基于鳍式场效应晶体管（FinFET）结构的14nm eMRAM，目标是在2024年推出。三星计划到2026年将eMRAM产品组合扩大到8纳米，到2027年将扩大到5纳米。

　　该公司表示，与使用14纳米技术生产的芯片相比，8纳米eMRAM芯片的密度将提高30%，速度将提高33%。

　　另外，三星表示，将准备在2026年前开始大规模生产尖端的2纳米加工汽车芯片。

　　根据市场研究公司Omdia的数据，预计到2026年，全球汽车芯片市场将从2022年的635亿美元增长到962亿美元。

　　三星代工业务负责人Choi Si-young表示：“我们将开发针对汽车半导体的优化工艺，包括功率芯片和微控制器，以满足电动汽车和自动驾驶汽车时代的各种客户需求。”

　　　强化8英寸BCD工艺

　　三星表示，它还将提高8英寸BCD工艺的技术。

　　BCD，双极、CMOS和DMOS的缩写，是一组硅工艺，每种工艺都将三种不同工艺技术的优势结合在一个芯片上。

　　这种技术组合带来了许多优点——提高了可靠性、减少了电磁干扰和更小的芯片面积。BCD已被广泛采用并不断改进，以解决电源管理、模拟数据采集和电源执行器领域的广泛产品和应用。

　　三星目前采用130纳米BCD工艺，目标是到2025年将该技术提高到90纳米水平。与130nm工艺相比，90nm BCD工艺可以减少约20%的芯片面积。

　　利用深沟槽隔离（DTI）技术，三星计划将应用于汽车解决方案的电压从目前的70伏提高到120伏，并打算在2025年前为120伏的130纳米BCD工艺提供工艺设计套件。

　　与合作伙伴一起开发2.5D和3D软件包

　　在慕尼黑论坛上，三星表示将与合作伙伴在芯片封装方面密切合作，旨在开发适合各种应用的2.5D和3D封装，包括高性能计算。

　　在其SAFE生态系统中，三星与20家芯片业务合作伙伴建立了尖端封装解决方案的多芯片集成（MDI）联盟。

　　在7月于首尔举行的代工论坛上，三星表示，它正在加强与客户的合作伙伴关系，以增强其在代工领域的影响力。在代工市场，三星远远落后于市场领导者台湾半导体制造有限公司（TSMC），后者控制着全球一半以上的市场。

　　三星一直在努力凭借其先进的芯片处理技术扩大其代工客户群，尤其是在快速增长的汽车芯片领域。

　　今年2月，三星与美国芯片设计师Ambarella股份有限公司达成协议，使用其先进的5纳米工艺节点为其生产汽车芯片。

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