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长鑫存储与通富微电子合作 进军高带宽内存生产

金融科技 2024-05-172283rg52354

据报道，我国领先的DRAM制造商长鑫存储近日与半导体封装公司通富微电子合作，为其客户生产HBM样品。

长鑫存储并不是唯一一家参与这项事业的公司。随着人工智能技术的普及，中国企业正在迅速努力实现HBM技术的自力更生。半导体公司武汉新芯 (XMC)已开始建设一个每月可生产3000片12英寸HBM晶圆的工厂。

华为正在与其他中国公司合作，目标是到2026年制造第二代HBM2。

路透社观察到，中国目前的重型作战能力仍落后于韩国约十年，迎头赶上可能会带来重大挑战。

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