三星电子、SK海力士加剧下一代AI半导体霸主地位的竞争

三星电子和SK海力士正在激烈竞争，以引领人工智能(AI)时代的下一代半导体市场。两家公司都在努力通过新产品开发和大规模生产时机来获得优势。随着英特尔加入竞争，全球半导体战线正在扩大。

4月21日消息，据业内人士透露，三星电子和SK海力士近日宣布了下一代半导体量产计划。焦点在于谁能最先将这些新产品推向市场，吸引相当多的关注。

1月份，SK海力士开始量产8层第五代高带宽存储器(HBM)3E，并取得早期领先。三星电子计划在今年上半年开始量产自己的8层HBM3E。

三星电子率先开发 12 层 HBM3E，并于 2 月份开发成功。它的目标是在今年晚些时候开始大规模生产，并向美国半导体公司英伟达供货。与此同时，据报道SK海力士上半年向Nvidia交付了12层HBM3E原型。

两家公司还竞相开发第六代 HBM4。三星电子制定了明年开发 HBM4 并于 2026 年开始量产的路线图。HBM4 产品计划提供三种选择：8 层、12 层和 16 层配置。

SK海力士还计划在2026年实现HBM4量产。为了实现这一目标，该公司与世界领先的代工(半导体合同制造)公司台湾台积电合作。SK海力士计划采用台积电先进逻辑工艺技术生产HBM4。

为了对抗SK海力士-台积电联盟，三星电子作为唯一一家拥有完整生产、代工和封装工艺的半导体公司，强调其为客户提供定制化HBM解决方案的能力。

在 DRAM 领域，竞争仍在继续。三星电子最近发布了用于设备上人工智能的低功耗双倍数据速率 5X (LPDDR5X) DRAM，其速度达到创纪录的 10.7 Gbps(千兆位每秒)，超过了 SK 海力士用于移动设备的 LPDDR5T，后者去年达到了 9.6 Gbps。

此外，三星电子计划于今年年底开始量产第六代 10 纳米 (nm) DRAM，并于 2026 年开始量产第七代 10 纳米 DRAM。SK 海力士计划于第三年推出第六代 10 纳米 DRAM。季度产量，领先于三星电子的年终产量目标。

市场研究公司TrendForce的数据显示，去年第四季度，三星电子占据DRAM市场45.5%的份额，而SK海力士则占据31.8%。在HBM市场，SK海力士拥有53%的市场份额，三星电子拥有35%的市场份额。下一代半导体的发展可能会显着改变市场格局，使两家公司保持高度警惕。

与此同时，美国半导体公司英特尔正在加快步伐，通过引进荷兰半导体设备公司ASML的先进设备，追赶台积电和三星电子。英特尔最近在其位于美国俄勒冈州的研发中心安装了 ASML 的下一代高数值孔径极紫外光刻 (EUV) 设备，高数值孔径 EUV 可以绘制更详细的半导体电路图，英特尔是第一家采用这种技术的代工厂。采用该技术。

英特尔计划在今年年底前开始量产 1.8 纳米工艺。如果一切按计划进行，英特尔将击败台积电和三星电子，后者计划明年开始大规模生产 2 纳米工艺。

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