长江存储：我们的3D QLC NAND的耐用性可与3D TLC NAND媲美

通常，NAND 闪存单元可以容纳的电荷越多，其编程/擦除周期的耐用性就越差。但 3D NAND 材料创新、NAND 控制器的进步和纠错算法可以显着增加 NAND 闪存单元可维持的 P/E 周期数。据报道，长江存储的X3-6070 3D QLC 器件就发生了这种情况 ，该器件拥有 3D TLC IC 的耐用性 。

长江存储的X3-6070 3D QLC NAND设备属于该公司的第四代产品，具有128个有源层以及具有2400 MT/s接口的Xtacking 3.0架构。虽然按照今天的标准来看，128 个有源层似乎不算是一个记录，但这款 3D QLC NAND 设备的关键部分之一是制造商声称该 IC 具有相当高的 4,000 次编程/擦除周期的耐用性。这些设备支持的快速接口使其适合 配备 PCIe 4.0 或 PCIe 5.0 接口的 最佳 SSD 。

过去，人们认为 3D TLC NAND 可以维持 1,000 到 3,000 个 P/E 循环，但材料、控制器和 ECC 方法的进步将这一数字增加到 4,000 个 P/E 循环甚至更高。3D QLC NAND 最初被认为能够执行 100 到 1,000 个 P/E 周期，但所有内存制造商也增加了这个数字。长江存储或许是唯一一家宣传其 3D QLC NAND 与 3D TLC NAND 一样耐用的公司，其他闪存制造商肯定也在这方面取得进展。

毫无疑问，4000个P/E周期对于长江存储的X3-6070 3D QLC NAND存储器件来说是一个伟大的成就。考虑到这些闪存 IC 具有 128 个有源层，而长江存储的竞争对手提供具有 176 个或更多有源层的 QLC 3D NAND 器件，其竞争力如何仍有待观察。

长江存储目前在其 PC41Q 消费级固态硬盘中使用 X3-6070 3D QLC NAND 内存。该SSD的顺序读写速度为5500MB/s，30摄氏度下数据保存期为一年，与TLC固态硬盘相当。凭借4000个P/E周期的耐用性，长江存储期待将3D QLC NAND闪存用于企业级存储设备。

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