SK 海力士加大对先进芯片封装的投资 用于关键AI存储芯片技术
SK 海力士正在加大对先进芯片封装的投入,希望能够满足人工智能 (AI) 开发中对关键组件日益增长的需求:高带宽内存 (HBM),一种可堆叠的高性能内存芯片相互叠放,并通过硅通孔 (TSV) 将它们连接起来,以实现更快、更节能的数据处理。
前三星电子公司工程师、现负责人李康旭表示,SK海力士今年将在韩国投资超过 10 亿美元(47.1 亿令吉),以扩大和改善其芯片制造的最后步骤。 SK海力士加强包装开发。该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心,进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。
李康旭专注于组合和连接半导体的先进方法,随着现代人工智能的出现及其通过并行处理链消化大量数据,这种方法变得越来越重要。虽然SK海力士尚未披露今年的资本支出预算,但分析师平均估计该数字为14万亿韩元(560亿令吉)。这表明先进封装(可能占其中的十分之一)是一个主要优先事项。
李康旭在接受采访时表示,“半导体行业的前 50 年一直是前端”,即芯片本身的设计和制造。“但未来 50 年将是后端的全部”,即包装。
成为这场竞赛中第一个实现下一个里程碑的公司现在可以使公司跻身行业领先地位。SK 海力士被英伟达选中为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM,从而将这家韩国公司的价值推高至 119 万亿韩元。3 月 7 日,该公司股价在首尔上涨约 1%,自 2023 年初以来已上涨近 120%。该公司目前是韩国第二大市值公司,表现优于三星和美国竞争对手美光科技。
现年 55 岁的李康旭帮助 开创了一种封装第三代技术 HBM2E 的新颖方法,该方法很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新对于 SK 海力士在 2019 年底赢得 Nvidia 客户至关重要。
李康旭 长期以来一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2002 年,拥有日本东北大学微系统 3D 集成技术博士学位的 李康旭 加入三星内存部门,担任首席工程师,领导基于 TSV 的 3D 封装技术的开发。这项工作后来成为开发 HBM 的基础。
但早在智能手机时代之前,三星就在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常将组装、测试和封装芯片的任务外包给亚洲小国家。
因此,当 SK 海力士和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc 于 2013 年向世界推出 HBM 时,他们在两年内没有受到任何挑战,直到 2015 年底三星开发出 HBM2。三年后,李康旭 加入了 SK 海力士。他们自豪地开玩笑说,HBM 代表“Hynix 的最佳内存”。
分析师桑吉夫·拉纳 (Sanjeev Rana) 表示:“SK 海力士的管理层对这个行业的发展方向有更深入的了解,并且他们做好了充分的准备。” “当机会来临时,他们用双手抓住了它。” 至于三星,“他们被抓到在打瞌睡”。
ChatGPT 于 2022 年 11 月发布,这是 李康旭 一直在等待的时刻。当时,在他在日本的联系人的帮助下,他的团队开发了一种新的封装方法,称为大规模回流成型底部填充 (MR-MUF)。
李康旭表示,SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进 MR-MUF 和 TSV 技术中。
李康旭致力于扩展和增强国内技术,并计划在美国建造价值数十亿美元的先进封装设施,因此面对日益激烈的竞争,李康旭 仍然看好 SK 海力士的前景。他认为目前的投资为满足未来几代 HBM 的更多需求奠定了基础。
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